中科院突破5nm光刻技术瓶颈
一直以来在科技领域相关我们国家的发展历程，和发达国家对比起来我们国家一直都属于一个弱势的情况。不过在这样的一个情况之下，我国的科技领域可以说一直都在寻找着攻克的方向，以求打破这样的一个局面，某些方面虽然有着非常不错的发展，却仍然还遭受到了美国对我国进行的，但是近些年来我们已经越来越强了。
特别在当前几乎大家对于我国的华为公司旗下所研发的一些产品应该都不陌生，这也是我国非常大的一个公司，不过在这样的情况之下，我国这一企业已经多次受到影响，这也造成了极大的损失。
不过现在这样的情况也并不都是出乎意料的，因为就像其他一些国家在一些高运用技术上对我国都有着垄断这样的一个状况，就更不用说美方了。
之前在面对荷兰公司的光刻机，我们国家就遭到了高价引进，那在受到了这样一个个问题的情况之下，我国也立志要做到自主研发。
我们在这些年做出的成果中，也得到了很大的成就，特别是现在我国又爆出消息，已经突破了5nm光刻技术的瓶颈期，中科研再一次传来的这个好消息，更是让我国芯片的未来更加可期。
不得不说，在今年已经连续研发出光刻机，还有跟随后的10nm米7nm光刻技术，这也都是我国的成功做出的一步步成就。
这一消息的传出也更是让其他国家对此更加震惊，毕竟我国之前光刻机仍然处于90纳米的技术水平，与一些发达国家相比起来更是有着很大的差距。
也是因为在这样的一个情况之下，为了更好的不被其他国家进行技术，以此我国对于半导体材料制备技术的研发也加强了步伐，最后对于5nm光刻技术的推广并且这一技术成熟之后可以直接用于我们的碳基芯片中，并且这使得下一个3nm节点的技术也有了更大的预期进展。
页:
[1]