晶体电光效应实验仪 技术指标

       晶体的电光效应物理光学 晶体电光效应实验仪 型号：HAD-F-JTDG1110
　　实验内容及相关科目：
　　观察会聚偏振光经过LiNbO3晶体后形成的干涉图形，比较不同电压条件下的差异，理解单轴晶体与双轴晶体的区别。
　　观察在不同电压条件下的输出光的偏振态，理解泡克耳斯效应的作用机理。
　　测量半波电压，确定Δn与E的线性关系，绘出光的调制曲线。
　　用正弦电信号对晶体进行调制，实现电信号的光传输，理解工作点对调制、传输过程的影响。
　　外加音频信号，实验音频信号的光传输以重现，了解光通讯中信号外调制的原理和方法。
　　仪器特点：
　　采用半导体激光器作为光源（650nm4mW）。
　　晶体的通光面积为5×5mm2
　　大驱动电压Vmax1600V使现象更加清晰、完整。
　　可观察在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为双轴晶体的过程。
　　设备成套性：
　　光学实验导轨、半导体激光器、扩束镜、起偏器、检偏器、1/4波片、LN晶体附件（含三维调整架）、激光功率指示计、音频信号源、示波器（自备）等。
　　技术指标
　　光学实验导轨800mm。
　　实验主机大驱动电压Vmax1600V
　　半导体激光器650nm, 4mW。
　　LN晶体附件，三维可调，通光面积：5*5mm2。
　　二维可调光电二极管探头：调整范围:±2.5mm.
　　二维可调扩束镜：25倍，调制范围：±2.5mm.
　　激光功率指示计：三位半数字表头，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可调档。小分辨率0.1u W。